碳纳米管森林晶圆-苏州烯晶半导体科技有限公司

产品概述

碳纳米管晶圆是采用高纯度的半导体性碳纳米管，经过分散、自组装、转移及图形化等先进工艺制备而成的功能性晶圆。作为后摩尔时代碳基半导体产业的核心基础材料，它以其超高载流子迁移率、本征纳米尺度与理想CMOS兼容性，为突破传统硅基芯片的性能极限提供了全新路径。

赋能场景

碳纳米管晶圆经过后续的光刻、刻蚀、镀膜及集成工艺，可制成CNT 3D电容、红外传感器件、高频/射频器件、M3D后道集成电路、AI芯片、前道逻辑芯片等一系列高性能电子器件与芯片。这些器件天然具备高速、低功耗、高频率等特性，主要服务于对算力、能效和频率有极致要求的前沿领域：

高性能计算

为下一代数据中心、人工智能加速芯片提供底层算力支撑

高频通信

应用于5G/6G通信、毫米波雷达及太赫兹技术中的核心射频组件

低功耗AI芯片

通过单片3D异构集成，极大提升互联密度，增加AI运算的带宽，降低运算功耗

碳纳米管森林晶圆

碳纳米管森林是一种由大量垂直于衬底生长的碳纳米管组成的宏观三维阵列结构

核心技术优势

出色电学性能与抗电迁移能力

避免VLSI中因高电流密度导致的电迁移失效

低温CMOS工艺兼容

可在＜400°C以下生长高密度森林，满足BEOL温度限制

高热导与热膨胀系数匹配

单管轴向热导理论值达6600 W/mK，热膨胀系数与硅相近（约4.3 ppm/K），大幅降低热应力，防止器件剥离

高比表面积与尖端场增强

多孔结构提供高表面积，尖端具备强电场增强效应，支持高灵敏度传感与高效电子发射

核心应用场景

先进硅通孔（TSV）填充

用于3D堆叠芯片，降低信号延迟、提高热稳定性，并减少对硅衬底的应力

下一代芯片互连线

16 nm以下节点中替代铜互连，构建低电阻、高寿命的垂直/水平互连

3D高密度电容器

作为电容器的电极，提供超高比表面积，从而提高容值

场发射器件与真空微电子

优异的场发射冷阴极材料，可用于微型X射线源、场发射显示器等器件，实现高亮度与快速响应

技术咨询

碳纳米管晶圆技术难题，一键对接专业解答

立即致电

0512-62580966
+86-18006218012

发送邮件

service@cs-tec.com.cn

添加微信