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碳纳米管晶圆是采用高纯度的半导体性碳纳米管，经过分散、自组装、转移及图形化等先进工艺制备而成的功能性晶圆。作为后摩尔时代碳基半导体产业的核心基础材料，它以其超高载流子迁移率、本征纳米尺度与理想CMOS兼容性，为突破传统硅基芯片的性能极限提供了全新路径。
碳纳米管晶圆经过后续的光刻、刻蚀、镀膜及集成工艺，可制成CNT 3D电容、红外传感器件、高频/射频器件、M3D后道集成电路、AI芯片、前道逻辑芯片等一系列高性能电子器件与芯片。这些器件天然具备高速、低功耗、高频率等特性，主要服务于对算力、能效和频率有极致要求的前沿领域：
高性能计算为下一代数据中心、人工智能加速芯片提供底层算力支撑
高频通信应用于5G/6G通信、毫米波雷达及太赫兹技术中的核心射频组件
低功耗AI芯片通过单片3D异构集成，极大提升互联密度，增加AI运算的带宽，降低运算功耗
尺寸：4英寸 / 8英寸
管径：1.0±0.1 nm
密度：360根/微米，230根/微米
半导体纯度：>99.9999％
取向角：<5°
基底：包括但不限于氧化硅、氮化硅、玻璃和石英等
Peak information
| Rank | Raman shift (range) / cm-1 | Abs.Intensity (range) |
| 1 | 1590~1596 | 17800~19600 |
| 2 | 1320~1330 | 400~500 |
G/D: 35.6~49.00
Peak information of RBM (Single-point)
| Rank | Raman shift (range) / cm-1 | Abs.Intensity (range) |
| 1 | 233~236 | 700~800 |
CNT Diameter: 0.95~0.96 nm
（经验）
尺寸：4英寸 / 8英寸
管径：1.2±0.1 nm
密度：360根/微米，230根/微米
半导体纯度：>99.9999％
取向角：<5°
基底：包括但不限于氧化硅、氮化硅、玻璃和石英等
Peak information
| Rank | Raman shift (range) / cm-1 | Abs.Intensity (range) |
| 1 | 1590~1600 | 18000~19000 |
| 2 | 1325~1340 | 440~520 |
G/D: 34.62~43.19
Peak information of RBM (Single-point)
| Rank | Raman shift (range) / cm-1 | Abs.Intensity (range) |
| 1 | 193~196 | 950~1050 |
CNT Diameter: 1.14~1.16 nm
（经验）
尺寸：4英寸 / 8英寸
管径：1.4±0.1 nm
密度：360根/微米，230根/微米
半导体纯度：>99.9999％
取向角：<5°
基底：包括但不限于氧化硅、氮化硅、玻璃和石英等
Peak information
| Rank | Raman shift (range) / cm-1 | Abs.Intensity (range) |
| 1 | 1593~1595 | 18750~18900 |
| 2 | 1333~1340 | 450~480 |
G/D: 39.0~42.0
Peak information of RBM (Single-point)
| Rank | Raman shift (range) / cm-1 | Abs.Intensity (range) |
| 1 | 170~173 | 930~1000 |
碳纳米管 Diameter: 1.30~1.32 nm
（经验）
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