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为应对芯片算力激增带来的“供电墙”挑战，我们利用碳纳米管构建三维垂直储能结构，将片上电容从平面推向立体，旨在为高性能计算与AI芯片提供高密度、快响应的供电解决方案。
功率密度跃升三维结构使单位面积储能能力获数量级提升潜力。
瞬时功率响应低阻抗设计，精准满足纳秒级瞬时高功率需求。
先进工艺兼容方案与主流CMOS工艺兼容，具备作为高性能IP模块集成的可行性。
5G/6G基站射频前端（滤波器调谐、天线开关去耦）； 高速光模块/CPO（激光驱动电源去耦、TIA偏置稳定）
AI/GPU芯片的近芯去耦，降低PND阻抗，提升算力稳定性。
车载77GHz雷达、智能座舱通信模块的微型化、高可靠电源管理。
植入式设备对高可靠性、长寿命、极致微型化的电容需求。
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