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面向5G-Advanced/6G及太赫兹通信的频谱需求,我们基于碳纳米管极高的载流子迁移率,开发专为高频优化的射频器件,旨在为构建更高性能、更低损耗的下一代无线系统提供核心器件选择。
拓展频率边界材料特性支持器件在毫米波乃至太赫兹频段实现高效工作。
高线性低噪声优化的器件结构目标实现优异的功率附加效率与噪声系数。
卓越热管理碳纳米管的高导热性,从材料层面保障了高频大功率工作下的可靠性。

太赫兹成像与通信(>300 GHz)、低轨卫星通信终端。

对功耗极其敏感的物联网边缘射频节点。

电子战系统、雷达前端、航天器载荷等对性能与可靠性要求极致的领域。