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直面AI算力增长的“存储墙”核心瓶颈，碳基单片3D集成芯片通过碳纳米管低温工艺，在硅衬底上直接垂直堆叠多层逻辑与存储器，将数据搬运距离缩短至微米级，实现近存计算。此架构变革已通过原型验证，可带来4倍以上的实测性能提升及百倍级的系统能效潜力。
万倍互联密度采用纳米级垂直通孔，互联密度超10⁷个/mm²，是传统技术的万倍以上。
低温制造基石碳纳米管晶体管工艺温度≤415°C，兼容现有产线，保障多层堆叠可行性。
三层异构集成融合硅基CMOS（计算）、RRAM（存储）、CNFET（控制）于单一芯片。
深度神经网络（DNN）加速器、卷积神经网络（CNN，如ResNet）、长短期记忆网络（LSTM）语言模型的训练与推理。
处理PageRank、连接组件等复杂的图算法，以及各类大数据分析。
应用于制造高密度的3D Flash（如BiCS Flash）、3D RRAM、3D DRAM和3D SRAM。
适用于智能手机SoC、可编程逻辑器件（3D-FPGA）边缘计算节点。
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